maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFR2607Z
Référence fabricant | IRFR2607Z |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFR2607Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR2607Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR2607Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR2607Z-FT |
HUFA76429D3S
ON Semiconductor
HUFA76429D3ST
ON Semiconductor
HUFA76609D3S
ON Semiconductor
HUFA76609D3ST
ON Semiconductor
HUFA76609D3ST_F085
ON Semiconductor
HUFA76619D3S
ON Semiconductor
HUFA76619D3ST
ON Semiconductor
HUFA76629D3S
ON Semiconductor
HUFA76629D3ST
ON Semiconductor
IRFR024NPBF
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation