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ON Semiconductor HUFA76609D3ST_F085

Name: HUFA76609D3ST_F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA76609D3ST_F085
Availability: InStock
Rating: 4.9 (307 reviews)

Numéro de pièce MFG: HUFA76609D3ST_F085

quantité disponible: 52660 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HUFA76609D3ST_F085.pdf

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HUFA76609D3ST_F085 Caractéristiques

Référence fabricant	HUFA76609D3ST_F085
Numéro de pièce future	FT-HUFA76609D3ST_F085
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA76609D3ST_F085 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	49W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76609D3ST_F085 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HUFA76609D3ST_F085-FT

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