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ON Semiconductor HUFA76629D3ST

Numéro de pièce MFG
HUFA76629D3ST
quantité disponible
53480 Pièces
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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HUFA76629D3ST Caractéristiques

Référence fabricant HUFA76629D3ST
Numéro de pièce future FT-HUFA76629D3ST
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries UltraFET™
HUFA76629D3ST Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1285pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252AA
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76629D3ST Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HUFA76629D3ST-FT

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