maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFP054NPBF
Référence fabricant | IRFP054NPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFP054NPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFP054NPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 81A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP054NPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFP054NPBF-FT |
IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K0C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R460CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R800CEATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel