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Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1

Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1
Price: 0.430584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (505 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPD60N10S4L12ATMA1

quantité disponible: 15030 Pièces

Prix de référence: USD 0.430584

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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IPD60N10S4L12ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPD60N10S4L12ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPD60N10S4L12ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
IPD60N10S4L12ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3170pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	94W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-313
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60N10S4L12ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPD60N10S4L12ATMA1-FT

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