maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPD60R400CEATMA1

| Référence fabricant | IPD60R400CEATMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IPD60R400CEATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | CoolMOS™ CE |
| IPD60R400CEATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.3A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-252-3 |
| Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD60R400CEATMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IPD60R400CEATMA1-FT |

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