maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFIZ48N
Référence fabricant | IRFIZ48N |
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Numéro de pièce future | FT-IRFIZ48N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFIZ48N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB Full-Pak |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIZ48N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFIZ48N-FT |
IPAW60R280CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600P6XKSA1
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IPA60R280CFD7XKSA1
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EP20K100ETC144-1N
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A3PE600-PQG208
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10AX027E4F29I3SG
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5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
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ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
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LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation