maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPAW60R360P7SXKSA1
Référence fabricant | IPAW60R360P7SXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPAW60R360P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPAW60R360P7SXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 22W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R360P7SXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPAW60R360P7SXKSA1-FT |
BSP317PE6327
Infineon Technologies
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
Infineon Technologies
BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
BSP320S E6433
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BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320SL6433HTMA1
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BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel