maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFIZ14GPBF
Référence fabricant | IRFIZ14GPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFIZ14GPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFIZ14GPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 27W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIZ14GPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFIZ14GPBF-FT |
SSR1N60BTM-WS
ON Semiconductor
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ
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EP20K100ETC144-1N
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LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
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5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
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ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
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LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation