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Référence fabricant | IRFH5004TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFH5004TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFH5004TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4490pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5004TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH5004TRPBF-FT |
IPW65R150CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R080CFDAFKSA1
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IPW60R170CFD7XKSA1
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IRF300P227
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IPW65R110CFDAFKSA1
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SPW55N80C3FKSA1
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IPW60R160P6FKSA1
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IPW60R040C7XKSA1
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
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10M40DCF256C7G
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5SGSED8K2F40I2N
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XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
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EP1SGX40GF1020I6
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