maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPW65R080CFDAFKSA1
Référence fabricant | IPW65R080CFDAFKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPW65R080CFDAFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPW65R080CFDAFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 43.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 17.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.76mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4440pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 391W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R080CFDAFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW65R080CFDAFKSA1-FT |
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
IPI139N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI14N03LA
Infineon Technologies
IPI16CN10N G
Infineon Technologies
IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel