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Référence fabricant | IRF300P227 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF300P227 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | StrongIRFET™ |
IRF300P227 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4893pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 313W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF300P227 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF300P227-FT |
IPI12CN10N G
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IPI12CNE8N G
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IPI200N25N3GAKSA1
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
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