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Référence fabricant | IRF9393TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF9393TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9393TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9393TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9393TRPBF-FT |
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSV236SP L6327
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BSR802NL6327HTSA1
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BSR316PH6327XTSA1
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BSR316PL6327HTSA1
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BSR606NH6327XTSA1
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XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
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XC7VX980T-1FFG1930C
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A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
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