maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSR316PH6327XTSA1
Référence fabricant | BSR316PH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSR316PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSR316PH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 360mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 170µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC-59 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR316PH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSR316PH6327XTSA1-FT |
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
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SPP04N60C3HKSA1
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SPP07N60C3HKSA1
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SPP07N60CFDHKSA1
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SPP07N60S5
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XCVU080-2FFVD1517E
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AGL030V2-CSG81
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MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
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5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
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XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
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