maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF9321TRPBF
Référence fabricant | IRF9321TRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF9321TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9321TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2590pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9321TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9321TRPBF-FT |
BSD314SPEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNL6327XT
Infineon Technologies
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSV236SP L6327
Infineon Technologies
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR302NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.