maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF7706
Référence fabricant | IRF7706 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7706 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7706 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2211pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.51W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7706 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7706-FT |
PSMN5R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN7R0-40LS,115
NXP USA Inc.
PSMN9R0-30LL,115
NXP USA Inc.
IRF7726TRPBF
Infineon Technologies
IRF7601TRPBF
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Vishay Siliconix
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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