maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF7726TRPBF
Référence fabricant | IRF7726TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7726TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7726TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2204pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.79W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Micro8™ |
Paquet / caisse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7726TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7726TRPBF-FT |
SPB100N04S2-04
Infineon Technologies
SPB100N04S2L-03
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SPB100N06S2-05
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SPB100N06S2L-05
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SPB100N08S2L-07
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SPB10N10 G
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SPB10N10L
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SPB10N10L G
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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EP1S40F1508C6N
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