maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPB100N08S2-07
Référence fabricant | SPB100N08S2-07 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPB100N08S2-07 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPB100N08S2-07 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 66A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB100N08S2-07 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPB100N08S2-07-FT |
IRLZ44NSPBF
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRR
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZS
Infineon Technologies
IRLZ44ZSPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZSTRRPBF
Infineon Technologies
NDBA100N10BT4H
ON Semiconductor
NDBA170N06AT4H
ON Semiconductor
NDBA180N10BT4H
ON Semiconductor
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation