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ON Semiconductor NDBA100N10BT4H

Numéro de pièce MFG
NDBA100N10BT4H
quantité disponible
84610 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NDBA100N10BT4H.pdf
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NDBA100N10BT4H Caractéristiques

Référence fabricant NDBA100N10BT4H
Numéro de pièce future FT-NDBA100N10BT4H
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NDBA100N10BT4H Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDBA100N10BT4H Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NDBA100N10BT4H-FT

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