maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI6413DQ-T1-GE3
Référence fabricant | SI6413DQ-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI6413DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI6413DQ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.05W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6413DQ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6413DQ-T1-GE3-FT |
SPB100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB10N10
Infineon Technologies
SPB10N10 G
Infineon Technologies
SPB10N10L
Infineon Technologies
SPB10N10L G
Infineon Technologies
SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB16N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel