maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7506TRPBF
Référence fabricant | IRF7506TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7506TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7506TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Puissance - Max | 1.25W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | Micro8™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7506TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7506TRPBF-FT |
PMGD130UN,115
NXP USA Inc.
PMGD175XN,115
NXP USA Inc.
PMGD400UN,115
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PMGD8000LN,115
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