maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7306TR
Référence fabricant | IRF7306TR |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7306TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7306TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7306TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7306TR-FT |
PMDPB85UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB95XNE,115
NXP USA Inc.
PMCXB900UEZ
Nexperia USA Inc.
PMDXB600UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMDXB1200UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCXB900UELZ
Nexperia USA Inc.
PMDXB950UPELZ
Nexperia USA Inc.
NX7002BKXBZ
Nexperia USA Inc.
PMCXB1000UEZ
Nexperia USA Inc.
PMDXB550UNEZ
Nexperia USA Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
Intel
5SGXMA7K1F40C2N
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
Intel
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation