maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NX7002BKXBZ
Référence fabricant | NX7002BKXBZ |
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Numéro de pièce future | FT-NX7002BKXBZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NX7002BKXBZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 260mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
Puissance - Max | 285mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010B-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX7002BKXBZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NX7002BKXBZ-FT |
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