maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTLJD3115PT1G
Référence fabricant | NTLJD3115PT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NTLJD3115PT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTLJD3115PT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
Puissance - Max | 710mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WDFN (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLJD3115PT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTLJD3115PT1G-FT |
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