maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMDXB1200UPEZ
Référence fabricant | PMDXB1200UPEZ |
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Numéro de pièce future | FT-PMDXB1200UPEZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMDXB1200UPEZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2pF @ 15V |
Puissance - Max | 285mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010B-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB1200UPEZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMDXB1200UPEZ-FT |
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