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Infineon Technologies IRF60DM206

Name: IRF60DM206
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF60DM206
Price: 1.04024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (298 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF60DM206

quantité disponible: 44600 Pièces

Prix de référence: USD 1.04024

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 130A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF60DM206.pdf

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IRF60DM206 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF60DM206
Numéro de pièce future	FT-IRF60DM206
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	StrongIRFET™
IRF60DM206 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	130A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6530pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DirectFET™ Isometric ME
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric ME
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF60DM206 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF60DM206-FT

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