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Infineon Technologies IRF3717PBF

Numéro de pièce MFG
IRF3717PBF
quantité disponible
76560 Pièces
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USD 0
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF3717PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF3717PBF
Numéro de pièce future FT-IRF3717PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF3717PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3717PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF3717PBF-FT

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