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Infineon Technologies BSO130P03SNTMA1

Name: BSO130P03SNTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO130P03SNTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (679 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSO130P03SNTMA1

quantité disponible: 68990 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSO130P03SNTMA1.pdf

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BSO130P03SNTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSO130P03SNTMA1
Numéro de pièce future	FT-BSO130P03SNTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSO130P03SNTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3520pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.56W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	P-DSO-8
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO130P03SNTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSO130P03SNTMA1-FT

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