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Infineon Technologies SPP11N80C3XKSA1

Numéro de pièce MFG
SPP11N80C3XKSA1
quantité disponible
83980 Pièces
Prix de référence
USD 2.672
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SPP11N80C3XKSA1.pdf
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SPP11N80C3XKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant SPP11N80C3XKSA1
Numéro de pièce future FT-SPP11N80C3XKSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
SPP11N80C3XKSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP11N80C3XKSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SPP11N80C3XKSA1-FT

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