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Référence fabricant | BSO119N03S |
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Numéro de pièce future | FT-BSO119N03S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSO119N03S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.56W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO119N03S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO119N03S-FT |
SPP100N08S2-07
Infineon Technologies
SPP100N08S2L-07
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SPP10N10
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SPP10N10L
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SPP11N60C3XKSA1
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SPP11N60CFDXKSA1
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SPP11N60S5HKSA1
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SPP11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation