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Infineon Technologies IRF135B203

Name: IRF135B203
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF135B203
Price: 2.296 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (679 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF135B203

quantité disponible: 12430 Pièces

Prix de référence: USD 2.296

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: StrongIRFET™ MOSFET NCH 135V 129A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF135B203.pdf

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IRF135B203 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF135B203
Numéro de pièce future	FT-IRF135B203
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	StrongIRFET™
IRF135B203 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	135V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	129A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 77A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	441W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF135B203 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF135B203-FT

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