maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRFP2602
Référence fabricant | AUIRFP2602 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AUIRFP2602 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
AUIRFP2602 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 180A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 390nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11220pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 380W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFP2602 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRFP2602-FT |
IPD70P04P409ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPD100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S410ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N08S413ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P04P413ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.