maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFP7530PBF
Référence fabricant | IRFP7530PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFP7530PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFP7530PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 195A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 411nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13703pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 341W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP7530PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFP7530PBF-FT |
IPD50P04P4L11ATMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD70P04P409ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPD100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel