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Infineon Technologies IRFP7530PBF

Numéro de pièce MFG
IRFP7530PBF
quantité disponible
37960 Pièces
Prix de référence
USD 3.128
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 60V 195A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFP7530PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFP7530PBF
Numéro de pièce future FT-IRFP7530PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®, StrongIRFET™
IRFP7530PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 411nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13703pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 341W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP7530PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFP7530PBF-FT

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