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Référence fabricant | IPW50R280CEFKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPW50R280CEFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPW50R280CEFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 92W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW50R280CEFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW50R280CEFKSA1-FT |
IPS80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R750P7AKMA1
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IPU80R900P7AKMA1
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IPSA70R360P7SAKMA1
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IPU80R2K4P7AKMA1
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IPU80R2K0P7AKMA1
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
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M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel