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Référence fabricant | IPSA70R360P7SAKMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPSA70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R360P7SAKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 59.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R360P7SAKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPSA70R360P7SAKMA1-FT |
IPB016N06L3GATMA1
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IPB017N06N3GATMA1
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IPB025N10N3GE8187ATMA1
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IPB034N06N3GATMA1
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IPB036N12N3GATMA1
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IPB039N10N3GATMA1
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
Intel