maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPS80R2K4P7AKMA1
Référence fabricant | IPS80R2K4P7AKMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPS80R2K4P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPS80R2K4P7AKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 500V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 22W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS80R2K4P7AKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS80R2K4P7AKMA1-FT |
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB036N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation