maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPW50R199CPFKSA1
Référence fabricant | IPW50R199CPFKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPW50R199CPFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPW50R199CPFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 550V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 139W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW50R199CPFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW50R199CPFKSA1-FT |
IPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R3K3P7AKMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel