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Référence fabricant | IPW50R190CEFKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPW50R190CEFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPW50R190CEFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 127W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW50R190CEFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW50R190CEFKSA1-FT |
IPSA70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R900P7SAKMA1
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IPS80R750P7AKMA1
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IPU80R750P7AKMA1
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IPU80R900P7AKMA1
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IPSA70R360P7SAKMA1
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IPS80R2K4P7AKMA1
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IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel