maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI50R350CP
Référence fabricant | IPI50R350CP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPI50R350CP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI50R350CP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 550V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R350CP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI50R350CP-FT |
BSB165N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF024N03LT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF035NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel