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Infineon Technologies BSF045N03MQ3 G

Name: BSF045N03MQ3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSF045N03MQ3 G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (366 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSF045N03MQ3 G

quantité disponible: 16040 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSF045N03MQ3 G.pdf

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BSF045N03MQ3 G Caractéristiques

Référence fabricant	BSF045N03MQ3 G
Numéro de pièce future	FT-BSF045N03MQ3 G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSF045N03MQ3 G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta), 63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse	3-WDSON
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSF045N03MQ3 G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSF045N03MQ3 G-FT

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