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Infineon Technologies IPW60R190C6FKSA1

Name: IPW60R190C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R190C6FKSA1
Price: 3.32 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (41 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPW60R190C6FKSA1

quantité disponible: 51440 Pièces

Prix de référence: USD 3.32

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPW60R190C6FKSA1.pdf

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IPW60R190C6FKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPW60R190C6FKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPW60R190C6FKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™
IPW60R190C6FKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 630µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	151W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO247-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R190C6FKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPW60R190C6FKSA1-FT

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