maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPA20N60C3XKSA1
Référence fabricant | SPA20N60C3XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPA20N60C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPA20N60C3XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 34.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA20N60C3XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPA20N60C3XKSA1-FT |
AUIRFS8407-7P
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IPB011N04LGATMA1
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XCVU080-2FFVD1517E
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