maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRFSA8409-7TRL
Référence fabricant | AUIRFSA8409-7TRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AUIRFSA8409-7TRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRFSA8409-7TRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 523A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.69 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 460nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13975pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFSA8409-7TRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRFSA8409-7TRL-FT |
IRFB41N15D
Infineon Technologies
IRFB4212PBF
Infineon Technologies
IRFB4215
Infineon Technologies
IRFB4215PBF
Infineon Technologies
IRFB4228PBF
Infineon Technologies
IRFB4233PBF
Infineon Technologies
IRFB42N20D
Infineon Technologies
IRFB4310GPBF
Infineon Technologies
IRFB4310ZGPBF
Infineon Technologies
IRFB4321GPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel