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Infineon Technologies BSF077N06NT3GXUMA1

Numéro de pièce MFG
BSF077N06NT3GXUMA1
quantité disponible
51610 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSF077N06NT3GXUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSF077N06NT3GXUMA1
Numéro de pièce future FT-BSF077N06NT3GXUMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSF077N06NT3GXUMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta), 56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 33µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse 3-WDSON
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSF077N06NT3GXUMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSF077N06NT3GXUMA1-FT

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