maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSF077N06NT3GXUMA1
Référence fabricant | BSF077N06NT3GXUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSF077N06NT3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSF077N06NT3GXUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta), 56A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta), 38W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquet / caisse | 3-WDSON |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF077N06NT3GXUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSF077N06NT3GXUMA1-FT |
SPW21N50C3FKSA1
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IPW60R099P7XKSA1
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