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Référence fabricant | IPI50R250CPXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI50R250CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI50R250CPXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 114W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R250CPXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI50R250CPXKSA1-FT |
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
BSB104N08NP3GXUSA1
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA1
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BSB280N15NZ3GXUMA1
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BSF024N03LT3GXUMA1
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BSF030NE2LQXUMA1
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BSF035NE2LQXUMA1
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BSF045N03MQ3 G
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BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel