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Référence fabricant | IPI50R199CPXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI50R199CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI50R199CPXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 139W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R199CPXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI50R199CPXKSA1-FT |
BSB044N08NN3GXUMA1
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BSF050N03LQ3GXUMA1
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A54SX32-1TQ144M
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.