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Infineon Technologies IPC302N08N3X1SA1

Numéro de pièce MFG
IPC302N08N3X1SA1
quantité disponible
11080 Pièces
Prix de référence
USD 2.30732
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPC302N08N3X1SA1.pdf
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IPC302N08N3X1SA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPC302N08N3X1SA1
Numéro de pièce future FT-IPC302N08N3X1SA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPC302N08N3X1SA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Sawn on foil
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N08N3X1SA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPC302N08N3X1SA1-FT

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