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ON Semiconductor FDZ209N

Numéro de pièce MFG
FDZ209N
quantité disponible
98300 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDZ209N.pdf
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FDZ209N Caractéristiques

Référence fabricant FDZ209N
Numéro de pièce future FT-FDZ209N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDZ209N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 657pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 12-BGA (2x2.5)
Paquet / caisse 12-WFBGA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDZ209N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDZ209N-FT

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