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Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA1

Name: IPB120N06S4H1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N06S4H1ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (235 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB120N06S4H1ATMA1

quantité disponible: 80610 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB120N06S4H1ATMA1.pdf

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IPB120N06S4H1ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB120N06S4H1ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPB120N06S4H1ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPB120N06S4H1ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB120N06S4H1ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB120N06S4H1ATMA1-FT

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