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Infineon Technologies IPB022N04LGATMA1

Name: IPB022N04LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB022N04LGATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (447 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB022N04LGATMA1

quantité disponible: 16730 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB022N04LGATMA1.pdf

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IPB022N04LGATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB022N04LGATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPB022N04LGATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPB022N04LGATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 95µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	166nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB022N04LGATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB022N04LGATMA1-FT

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